隨著大規(guī)模集成電路的發(fā)展，電子設(shè)備的體積和重量越來越小，而傳統(tǒng)的連續(xù)式申聯(lián)穩(wěn)壓電源由于體積大、效率低則不能滿足整機(jī)的優(yōu)化設(shè)計。開關(guān)電源是體積小、重量輕、可靠性高的新型電源，具有功耗低、效率高的突出優(yōu)點，其效率可達(dá)75%以上。開關(guān)電源取代線性電源是工業(yè)發(fā)展的必然趨勢。 
    開關(guān)電源由高頻磁芯、高頻電容、高反壓大功率晶體管、功率整流二極管及控制電路等主要部件構(gòu)成。其中，整流二極管為關(guān)鍵部件，因為其功耗最大，約占電源功耗的30%，因此要求整流二極管在高速大電流工作狀態(tài)下，具有正向壓降小、開關(guān)時間短的特性。
    其實被大量應(yīng)用的整流二極管主要有兩種：一種是快恢復(fù)整流二極管，另一種便是肖特基勢壘二極管（SBD）?？傮w來說，肖特基勢壘二極管性能優(yōu)于快恢復(fù)二極管，它由于具有低壓大電流、低功耗、高速開關(guān)等優(yōu)良特性，在高頻整流、開關(guān)電路和保護(hù)電路中作為整流和續(xù)流元件，可以大幅度降低功耗，提高電路效率和使用頻率，減少電路噪聲。所以，在低壓范圍內(nèi)，SBD已淘汰了快恢復(fù)整流二極管。但由于金屬勢壘的緣故，SBD不能承受較高電壓，因此，在大電壓范圍內(nèi)，還缺不了快恢復(fù)整流二極管。
    接下來，凌訊從反向恢復(fù)時間trr、反向電壓以及正向電壓三方面對兩者進(jìn)行比較，具體如下。

    1、反向恢復(fù)時間trr的比較

    PN結(jié)呈現(xiàn)正向特性或反向特性取決于結(jié)內(nèi)部的勢壘高度，或者說，取決于結(jié)內(nèi)部的載流子分布。因為一定的勢壘高度與一定的載流子分布相對應(yīng)。正偏時，勢壘高度很低，結(jié)內(nèi)部的載流子很多，大大地超出平衡值；反偏時，結(jié)內(nèi)部的載流子很少，比平衡值還要低，所以PN結(jié)由正偏轉(zhuǎn)向反偏時，就必然存在一個類似電容器放電的過程叫作反向恢復(fù)過程。經(jīng)歷這個過程所需的時間就是反向恢復(fù)時間trr。顯然它與過剩少子壽命長短有關(guān)?？焖僬鞴艿腘區(qū)通常都是摻金的，以便使少子壽命降低從而獲得較短的反向恢復(fù)時間。
    肖特基勢壘二極管SBD的正向電流主要是“熱”電子由半導(dǎo)體注入到金屬中，少子空穴注入電流是微不足道的一部分。偏壓反向后，注入金屬的電子原則上也返回到半導(dǎo)體中，但這仍然要求電子保持足以超過勢壘的能量。在正向偏壓下，在電子偏壓作用下注入到金屬的電子的能量比金屬費(fèi)米能級高出一個勢壘高度，在金屬中由于碰撞作用，使這部分能量在極短時間內(nèi)消失。
    因此，反向偏壓施加后，這些熱電子只能在這一數(shù)量級的時間內(nèi)返回到半導(dǎo)體內(nèi)，所以PN結(jié)的少子儲存效應(yīng)在SBD中實際是不存在的，其反向恢復(fù)時間主要由外電路決定，而不是由與導(dǎo)電機(jī)理有關(guān)的內(nèi)在電子過程決定的。因而SBD的反向恢復(fù)時間比PN結(jié)要短得多。SBD具有類似PN結(jié)的微分電容效應(yīng)，對反向恢復(fù)時間有一定影響。為了降低微分電容，要求SBD有效面積盡可能減小，相應(yīng)外延層摻雜濃度較低。

    2、反向電壓的比較

    在通常情況下一般采用金屬--半導(dǎo)體接觸來形成肖特基勢壘，但是由于金屬與半導(dǎo)體接觸時，接觸界面SiO2層的存在，使得接觸電阻和表面態(tài)密度明顯增大，致使器件的性能大大降低。
    為解決這個問題，現(xiàn)采用一項新工藝技術(shù)-金屬硅化物-硅的接觸勢壘工藝形成非?？煽壳铱芍貜?fù)的肖特基勢壘。同時采用了保護(hù)環(huán)結(jié)構(gòu)等新工藝技術(shù)，使肖特基二極管的反向特性得到了很大的改善，顯示出較理想的伏安特性，但由于金屬勢壘的緣故，其阻擋層較薄，故不能承受較高的電壓。而快恢復(fù)整流二極管由于襯底電阻率高、外延層厚，采用深結(jié)擴(kuò)散等特點，其承壓能力可達(dá)幾千伏，這也是快恢復(fù)整流二極管不能完全被取代的原因。

    3、正向壓降的比較

    肖特基二極管的特殊結(jié)構(gòu)決定了其體電阻較小，它的正向壓降比快恢復(fù)整流二極管的正向壓降低得多，因而其功耗低。
    在生產(chǎn)實踐中，快恢復(fù)整流二極管VF與trr的改善存在矛盾，也就是說，要使VF盡可能低時，其trr必然上升，同理，trr改善了，則VF上升，這一矛盾對功耗降低是不利的，通常只能在二者中取折衷，這也是快恢復(fù)整流二極管的一個劣勢。而肖特基勢壘二極管SBD，由于其為金一半接觸，決定了其trr本身就很小，在通常的情況下，改善VF并不能使trr變差。因此肖特基勢壘二極管有利于降低功耗。

肖特基二極管作為整流二極管比PN結(jié)整流二極管具有以下優(yōu)點：
    1、肖特基二極管是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的勢壘而制成的二極管，它不同于擴(kuò)散型PN結(jié)二極管，其正向壓降只有PN結(jié)的一半，所以功耗可以降低一半。
    2、肖特基二極管是利用一種多數(shù)載流子器件，不存在PN結(jié)二極管勢壘少子注入和儲存的瞬態(tài)恢復(fù)特性，這使得在相同的應(yīng)用情況下，兩者的恢  復(fù)特性存在明顯的差別，恢復(fù)時間大約為1:50，由于SBD的恢復(fù)時問要短的多，因此其開關(guān)速度比PN結(jié)二極管要快一倍，二極管的恢復(fù)時問越短，它的平均功率損耗就越小。

    綜上所述，在開關(guān)電源中，肖特基二極管比快恢復(fù)二極管更為理想，其功耗可以降低一半以上，進(jìn)一步提高了電源的效率，因此肖特基二極管是開關(guān)電源必不可少的配套器件，廣泛應(yīng)用于穩(wěn)壓器、整流器、逆變器、UPS等，也可以作為快速鉗位二極管使用。